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已閱：1424 2017/2/12 13:43:51 |
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應用背景
隨著金剛線切割技術的普及，相比單晶硅片而言，金剛線切割的多晶硅片在電池端的制絨環節遇到了困難。金剛線的固結切割方式導致切割后的硅片表面損傷程度較淺、表面劃痕密，從而導致了更高的反射率。單晶硅片采用堿制絨，在硅片表面形成“金字塔”狀的絨面結構，較淺的損傷層并不影響絨面的形成。而多晶硅片采用酸制絨，對于硅片表面損傷層的依賴程度較高，因而金剛線切割的多晶硅片在經歷酸制絨后依然存在較高的反射率，制成電池后效率比砂漿切割硅片低了將近0.4個百分點。 在此背景下，黑硅技術又換發了新的活力。黑硅技術在常規的酸制絨后，又增加一道工藝，從而解決了金剛線切多晶硅片的反射率過高問題，還能有0.3%-0.6%電池效率的提升。
技術參數
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適用產品 |
硅片156mm*156mm (thickness 180±20 ) |
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產能 |
產量 |
≥6000 PCS/H(以400Pcs電池片為單位) |
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碎片率 |
≤0.5‰ |
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控制方式 |
全自動控制 |
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進藥方式 |
自動加藥 |
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工作方向 |
從左至右（默認） |
從操作面看（如需從右往左，客戶需提出） |
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槽體數量 |
27槽 |
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機械手承載 |
承載重量 |
最大承載50KG |
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吊籃方式 |
直接吊籃 |
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花籃載片數量 |
400pcs/次 （100PCS片盒） |
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功能描述 |
機械手數量 |
5 |
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電機控制 |
絕對值伺服控制 |
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壓籃保護功能 |
標配 |
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液位保護功能 |
標配 |
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溫度保護功能 |
標配 |
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電力參數 |
電壓、總功率 |
AC380V 50Hz 200kW |
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設備尺寸 |
27000×2200×2800（mm) |
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設備穩定性 |
UPTIME |
≥98% |
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MCCE工藝 |
采用自有工藝或客戶指定工藝 |
* 特殊工藝可根據客戶要求定制
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